芝能智芯出品Wolfspeed推出了全新第4代MOSFET技术平台，为高功率应用提供显著的性能提升，尤其是在电动汽车、电力电子、可再生能源等领域的应用中 ...

MOSFET设计厂商力士（4923）今（14）日宣布，其对华硕（2357）提起的专利侵权诉讼已获美国德州东区联邦法院判决胜诉。法院于美国时间2025年2月13日 ...

Wolfspeed 高度灵活的第 4 代 MOSFET 技术平台为高性能、针对应用优化的产品提供长期发展规划支持 整体效率的提升有助于降低系统成本、缩短开发时间，同时最大限度延长应用寿命，这代表着碳化硅技术的一个关键进展. 2025 年 2 月 12 日，美国北卡罗来纳州达勒姆市、中国上海市讯 – 碳化硅技术领域 ...

从2025年起将向全球电动汽车供货，助力延长续航里程和系统的小型化 全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）的第4代sic mosfet和栅极驱动器ic已被日本先进的汽车零部件制造商日立安斯泰莫株式会社（以下简称“日立安斯泰莫”）用于其纯电动汽车（以下简称“ev”）的逆变器。

我们以dcdc电路为例，比如同步开关电源，其拓扑电路，一般是使用一组mosfet作为上管和下管来分时开关实现稳压输出。 当MOSFET高速开关时，MOSFET由导通切换到关断状态下，MOSFET的漏极和源极端子之间会产生快速上升的电压Vds。

it之家 9 月 3 日消息，“南京发布”官方公众号于 9 月 1 日发布博文，报道称国家第三代半导体技术创新中心（南京）历时 4 年自主研发，成功攻关沟槽型碳化硅 mosfet 芯片制造关键技术，打破平面型碳化硅 mosfet 芯片性能“天花板”，实现我国在该领域的首次突破。

较平面型提升导通性能 30% 左右，目前中心正在进行沟槽型碳化硅 mosfet 芯片产品开发，推出沟槽型的碳化硅功率器件，预计一年内可在新能源汽车电 ...

相同的 mosfet 双向开关概念可用于制造理想的 ssr 器件。 基本固态继电器设计. 在上面显示的基本ssr设计中，我们可以看到几个适当额定值的mosfet t1和t2背靠背连接，它们的源极和栅极 端子相互连接。 d1 和 d2 是横跨相应 mosfet 漏极/拉极的内部体 二极管。

mosfet（功率器件）行业分析报告：mosfet是我国半导体分立器件领域的重要组成部分，具有广阔的应用空间。 近年来，在国家政策的持续推动下，MOSFET行业实现了在生产制造等薄弱环节的关键性突破，涌现了华润微、士兰微等代表性厂商，国产化率稳步提升。

MOSFET（功率器件）行业分析报告：MOSFET即金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET)，归属于功率分立器件，是场效应晶体管(Field Effect Transistor-FET)中的重要分类，属于电压控制型半导体器件。

3、中国mosfet行业市场集中度. 结合icwise对各大厂商在中国市场的占有率情况进行市场集中度的计算，目前国内mosfet市场中，依旧有较大的市场份额 ...