这一新一代的3D NAND闪存，凭借其332层的设计和4.8Gbps的接口速度，再次引领了存储技术的进步，成为行业中的一大亮点。 第十代BiCS FLASH在多项性能指标上较上一代产品实现了显著提升，其中性能提高了33%。在密度、接口速率和功率效率等方面都有了更为突出的 ...

这一技术在第八代BiCS FLASH闪存中已有所应用，但第十代的亮点在于采用了Toggle DDR6.0接口标准和SCA协议，将NAND I/O接口速度从3.6Gbps提升至4.8Gbps。此外，层数从第八代的218层增加到332层，总层数增加了38%。 铠侠表示，到2027年将制造总层数达到1000层的3D NAND闪存 ...

不过亮点在于，铠侠采用了Toggle DDR6.0接口标准和SCA协议，将NAND I/O接口速度从3.6Gbps提升至4.8Gbps。 速度的提升还有部分原因在于NAND闪存层数的增加 ...

铠侠和闪迪还展望第九代和第十代 3D 闪存产品，第九代产品利用 CBA 技术融合现有存储单元技术和新 CMOS 技术，实现高性价比。第十代产品将进一步提升容量、速度和功耗表现，满足未来数据中心和 AI 应用需求。

近期，存储技术领域的两大巨头铠侠（Kioxia）与闪迪（SanDisk）携手，在国际固态电路会议（IEEE ISSCC）上惊艳亮相，专为人工智能（AI）应用场景推出了一款革命性的3D闪存解决方案。这款解决方案将NAND接口速度推高至前所未有的4.8 Gbps，标志着存储性能的一次 ...

铠侠X闪迪革新3D闪存技术：4.8Gbps、332层堆叠！ 在近期召开的2025年IEEE ISSCC学术会议上，铠侠与闪迪联合发布了专为AI应用场景设计的全新的3D闪存 ...

将 NAND 接口速度提升至惊人的 4.8 Gbps。 该 3D 闪存解决方案采用 Toggle DDR6.0 接口标准和 SCA 协议，NAND 接口速度达到 4.8Gb/s，比第八代产品提升 33%。

因此，BiCS 9 NAND 芯片接口速度应达到 4.8 Gbps。 双方表示，在即将推出的 BiCS 10 技术中，332 层堆叠和更好的平面单元布局相结合，比 BiCS 8 和 9 的比特 ...