FAMES 项目的协调员 Dominique Noguet 表示 基于 10nm FD-SOI 工艺的测试芯片预计将于 2027 年推出 。该制程节点将采用 193nm ArFi DUV 光刻机，采用 SADP 自对准双重曝光实现。

3 月 19 日消息，据法媒 ECInews 报道，欧洲先进 FD-SOI 中试线（技术试点线）项目 FAMES 当地时间 18 日正式宣布对外公开征集计划采用 10nm、7nm FD-SOI 全耗尽型绝缘体上硅工艺的芯片设计。 FAMES ...

2、公司为拓展业务范围及产品应用领域，投资设立控股子公司上海芯刻微材料技术有限责任公司进行193nm（ArF）干法光刻胶研发及产业化项目。 3、2023年3月3日互动易回复：公司已有先进封装用电镀液、添加剂系列产品生产销售。主要包括大马士革铜互连、TSV ...