FAMES 项目的协调员 Dominique Noguet 表示 基于 10nm FD-SOI 工艺的测试芯片预计将于 2027 年推出 。该制程节点将采用 193nm ArFi DUV 光刻机，采用 SADP 自对准双重曝光实现。

欧洲半导体产业再添重磅消息！FAMES项目近日宣布了一项具有里程碑意义的计划，旨在征集利用10nm和7nm FD-SOI全耗尽型绝缘体上硅工艺的芯片设计。这一消息由法国媒体ECInews首度报道，引发业界热议。项目协调员Dominique Noguet透露，基于10nm FD-SOI工艺的测试芯片预计将在2027年正式面市，标志着欧洲在先进半导体制造领域的重要进展。

近日，欧洲先进FD-SOI中试线项目FAMES宣布了一项备受瞩目的计划，力图征集采用10nm和7nm FD-SOI全耗尽型绝缘体上硅工艺的芯片设计。这一消息首次由法国媒体ECInews报道，吸引了广泛的关注。FAMES项目协调员Dominique Noguet指出，基于10nm FD-SOI工艺的测试芯片或将在2027年正式面世，代表着欧洲在半导体领域的重要进展。项目计划将依赖于先进的193nm ...

3 月 19 日消息，据法媒 ECInews 报道，欧洲先进 FD-SOI 中试线（技术试点线）项目 FAMES 当地时间 18 日正式宣布对外公开征集计划采用 10nm、7nm FD-SOI 全耗尽型绝缘体上硅工艺的芯片设计。 FAMES ...

在国内汽车市场中，SUV无疑是市场中的佼佼者，各大车企纷纷加大研发投入，推出了一系列具有竞争力的SUV车型，从紧凑型SUV到中大型SUV，从燃油车型到新能源车型，以满足消费者的不同需求。然而，随着SUV市场的繁荣和消费者需求的多样化，这一领域的竞争愈 ...

今年2月下旬日，DRAM大厂美光科技（Micron Technology）宣布，它已经成为业内售家向合作伙伴提供基于极紫外光（EUV）光刻技术的1γ （1-gamma）制程的第六代 （10nm 级） DRAM 节点的 DDR5 内存样品 ...

3、公司为拓展业务范围及产品应用领域，投资设立控股子公司上海芯刻微材料技术有限责任公司进行193nm（ArF）干法光刻胶研发及产业化项目。

因误判，尼康错失光刻机先机 在 193nm 波长光源的干式光刻机时代，尼康和佳能处于领先地位。但是在考虑下一代光源时，尼康和佳能认为开发 154nm ...

自2019年首批商用EUV芯片问世以来，设备迭代、掩模生成和光刻胶技术的持续改进已使该技术趋于稳定。尽管良率持续提升，但与成熟度更高的深紫外（DUV）光刻相比仍存在显著差距。工艺稳定性需要持续监控与微调，而发电设备、专用设备及耗材方面的高额投入，使得 ...