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欧洲先进 FD-SOI 中试线启动设计项目征集,目标 2027 年实现 10nm
FAMES 项目的协调员 Dominique Noguet 表示 基于 10nm FD-SOI 工艺的测试芯片预计将于 2027 年推出 。该制程节点将采用 193nm ArFi DUV 光刻机,采用 SADP 自对准双重曝光实现。
新浪网
18 小时
上海新阳跌1.44%,成交额9860.01万元,后市是否有机会?
3、公司为拓展业务范围及产品应用领域,投资设立控股子公司上海芯刻微材料技术有限责任公司进行193nm(ArF)干法光刻胶研发及产业化项目。
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