与竞争对手的功率半导体技术相比，GaN 最大限度地减少了所需无源元件的尺寸，同时降低了栅极驱动和反向恢复损耗。 本文引用地址： 此外 ...

各地级以上市人民政府，省政府各部门、各直属机构： 《广东省推动人工智能与机器人产业创新发展若干政策措施》已经省人民政府同意，现印发给你们，请认真贯彻执行。实施过程中遇到的问题，请径向省工业和信息化厅反映。 为深入贯彻落实国家发展人工 ...

GaN HEMT采用AlGaN/GaN异质结结构，通过极化效应在界面处形成二维电子气（2DEG），从而实现高电子迁移率（可达2000 cm²/Vs）。其 ...

IT之家12 月 26 日消息，小米 120W GaN 四口充电器套装现已在京东等平台上架，提供 1A3C 接口，标价 249 元。 商品页面显示，这款新品任意单 C 口均可最大输出 120W 功率，且可以实现笔记本最大 100W 输出，无需特意选择。任意两个 C 口均支持 65W+55W 快充，满足双口 ...

德州仪器（TI）近日宣布，其位于日本会津的工厂已全面启动基于氮化镓（GaN）技术的功率半导体生产。通过对内部制造能力的持续扩展，TI成功实现 ...

GaN的应用潜力非常大，EPC针对GaN的策略是：“先‘拿’下部分细分市场，然后从点到面逐个击破其他市场”。 虽然业内关注氮化镓(GaN)已经好些年，但是其商业化程度还待进一步提升，不论是与传统的硅(Si)还是与碳化硅(SiC)相比，GaN在市场和产业链规模方面都在 ...

氮化镓（Gallium Nitride, GaN）是一种宽禁带半导体材料，在电力电子、射频（RF）器件和光电子领域有着广泛的应用。与传统的硅基材料相比，GaN具有更高的电子迁移率、击穿电场强度和热导率，能够在高温、高频和高功率条件下工作，因此在提高能效和减小设备 ...

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现如今，6英寸晶圆成为了全球SiC/GaN企业的主流，走在前列的企业则陆续进入了8英寸晶圆时代。与已经耕耘多年的国际SiC/GaN ...

氮化镓功率器件与硅基功率器件的特性不同本质是外延结构的不同，本文通过深入对比氮化镓HEMT与硅基MOS管的外延结构，再对增强型和耗尽型的氮化 ...