在硅（100）面上直接生长缺陷少的GaN结晶时非常困难，几乎没有成功先例。 以前在GaN-on-Si技术实用化方面取得进展的，主要是在硅（111）面上生长GaN ...

着重分享的是本次研讨会的第 2 部分—— “用于毫米波应用的 GaN-on-Si” ，涵盖了用于毫米波应用的 GaN-on-Si 工艺和设计工具，以及用于射频和毫米波应用的 GaN-on-Si 衬底。另一个重点是基于 60 nm GaN-on-Si 的毫米波放大器，用于射频传感和无线通信。 01 ...

近日，苏州中科重仪半导体材料有限公司（以下简称“ 中科重仪 ”）自主研发的应用于电力电子领域的大尺寸硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延片生产线正式建成并投入使用。 source: 中科重仪 据介绍，目前GaN材料外延生长的主流方法是金属有机化学气相沉积法（MOCVD），由于针对功率型大尺寸GaN-on-Si材料 ...

意法半导体汽车与分立器件产品部经理Marco Monti表示，“我们已经认识到宽带隙半导体具有很高的价值，ST和CEA－Leti在功率GaN－on－Si制造和封装技术 ...

硅基氮化镓（GaN-on-Si）是指由硅和氮化镓组成的复合材料，其兼具硅和氮化镓两者优势性能，有着优异的热稳定性、电磁屏蔽性、绝缘性、耐腐蚀性 ...

氮化镓是一种无机物，化学式GaN，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体，可以用在高功率、高速的光电元件中。 UU2esmc 在GaN外延片方面，主要有两种衬底技术，分别是GaN-on-Si（硅基氮化镓）和GaN-on-SiC（碳化硅基氮化镓）。