在硅（100）面上直接生长缺陷少的GaN结晶时非常困难，几乎没有成功先例。 以前在GaN-on-Si技术实用化方面取得进展的，主要是在硅（111）面上生长GaN ...

着重分享的是本次研讨会的第 2 部分—— “用于毫米波应用的 GaN-on-Si” ，涵盖了用于毫米波应用的 GaN-on-Si 工艺和设计工具，以及用于射频和毫米波应用的 GaN-on-Si 衬底。另一个重点是基于 60 nm GaN-on-Si 的毫米波放大器，用于射频传感和无线通信。 01 ...

4月30日，苏州晶湛半导体有限公司（下文简称“晶湛半导体”）官微发文称，在比利时新鲁汶的爱因斯坦高科技园区，晶湛半导体和Incize于近日达成了一份战略合作备忘录，双方将在硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延技术的建模、仿真和测试方面进行深入的战略合作。

GaN 射频器件具有不同衬底，其中Si基GaN具有低衬底成本，Si 衬底8英寸很成熟，利用现有硅代工厂的规模生产优势。Si基GaN主要技术挑战有热阻、射频损耗，应力、位错密度和可靠性，大尺寸材料生长和CMOS兼容工艺制造， 当前，SiC基GaN占主导。

2022 年 RF GaN-on-Si 原型的成功生产反映了他们致力于引入 GaN-on-Si 技术，强调在电信和消费领域的应用。MACOM 于 2023 年战略收购 OMMIC SAS ...

意法半导体汽车与分立器件产品部经理Marco Monti表示，“我们已经认识到宽带隙半导体具有很高的价值，ST和CEA－Leti在功率GaN－on－Si制造和封装技术 ...

表1：Si、SiC和GaN的特性。 一般来说，GaN FET的最高电压约为650V，应用功率约为10kW，而750V和1200V SiC FET也并不罕见，应用功率从1kW到数百万瓦不等(如图 ...

硅基氮化镓（GaN-on-Si）是指由硅和氮化镓组成的复合材料，其兼具硅和氮化镓两者优势性能，有着优异的热稳定性、电磁屏蔽性、绝缘性、耐腐蚀性 ...

仅100微米 京瓷开发出全球最小GaN激光芯片盖世汽车讯 11月2日，日本京瓷公司（Kyocera Corporation）宣布开发出新的薄膜工艺技术，用于为基于氮化 ...

使用si-mosfet的μipm已推出了实际产品。新款μipm的特点是，通过使用gan功率晶体管，与使用si-mosfet时相比损失更低。该产品使用耐压600v级的gan功率元件。

氮化镓是一种无机物，化学式GaN，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体，可以用在高功率、高速的光电元件中。 UU2esmc 在GaN外延片方面，主要有两种衬底技术，分别是GaN-on-Si（硅基氮化镓）和GaN-on-SiC（碳化硅基氮化镓）。

GaN-on-SiC 和高度有效线性化技术的采用，可以实现更高效率的无线传输，带来显著的功率、散热和成本等方面节约，从而加快 5G 的部署。 科锐高效率 GaN-on-SiC 功率放大器与 MaxLinear 高度有效线性化解决方案相辅相成，可为 5G 应用所需的大规模 MIMO 射频节省数百瓦的功率消耗。