在半导体行业的激烈角逐中，长江存储科技有限公司（Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.）再次宣布一个令人振奋的消息！近日，国家知识产权局授权了一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公告号CN115188731B。这项专利的申请时间追溯至2018年6月，体现了长江存储在技术研发上不遗余力的决心。