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1 个月
为什么超大规模数据中心要选用SiC MOSFET?
图2:图腾柱PFC拓扑 为了达到97.5%的能效,图腾柱PFC需要使用碳化硅(SiC)等“宽禁带”半导体的MOSFET。如今,所有PFC级均采用SiC MOSFET 作为快速开关桥 ...
电子工程专辑
5 天
中国在基于新型SiC复合衬底的低成本MOSFET上取得重要进展
通过表面活化键合技术和离子注入剥离技术,将高质量SiC薄层键合转移到低质量单晶SiC衬底上,实现了低质量单晶SiC衬底有效 ...
EDN电子技术设计
21 天
基于SiC的高电压电池断开开关的设计注意事项
作为一种变通方法,可以使用包括串联低电压硅MOSFET的共源共栅配置来实现常闭器件。串联硅器件的加入增加了复杂度,进而削弱了JFET在高电流应用中的一些优势。SiC MOSFET属于常闭器件,兼具许多系统中所需的低电阻和可控性。K88ednc 热封装 SiC功率模块可实现 ...
国际电子商情
1 个月
首款新型TPSMB非对称TVS二极管为汽车SiC MOSFET,提供卓越的栅极驱动器 ...
Littelfuse公司30日宣布推出TPSMB非对称TVS二极管系列,这是首款上市的非对称瞬态电压抑制(TVS)二极管,专门用于保护汽车应用中的碳化硅(SiC)MOSFET栅极驱动器。这一创新产品满足下一代电动汽车(EV)系统对可靠过压保护日益增长的需求,提供一种结构紧凑的 ...
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