SiC MOSFET是近年来MOSFET行业进行技术迭代的主要方向，相较于其他可用技术，碳化硅MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)表现出显著的性能提升，为众多电子应用带来了新的可能性。目前，SiC MOSFET的发展主要经历了三个阶段，其发展历程具体如下 ...

图腾柱 PFC 级基于 MOSFET，通过移除体积大且损耗高的桥式整流器，提高了交流电源的能效和功率密度。mz0ednc 然而，为了实现超大规模数据中心公司要求的 97.5% 或更高的能效，图腾柱 PFC 需使用基于“宽禁带”半导体材料（如碳化硅 (SiC)）的 MOSFET。如今 ...

商用的Si MOSFET耐压普遍不超过900V，而SiC拥有更高的击穿场强，在结构上可以减少芯片的厚度，从而较大幅度地降低MOSFET的通态电阻，使其耐压可以 ...

SiC MOSFET是近年来MOSFET行业进行技术迭代的主要方向，相较于其他可用技术，碳化硅MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)表现出显著的性能提升，为众多电子应用带来了新的可能性。目前，SiC MOSFET的发展主要经历了三个阶段，其发展历程具体如下 ...

广泛用于制造硅基MOSFET的双扩散工艺不太适合碳化硅，主要是因为在多晶硅栅极能够承受的温度下，N和P型掺杂剂的扩散系数太低，所以一般采用的是离子注入工艺，这种方法在1997年首次用于6H-SiC的MOSFET。 其中包含了P+屏蔽区域，旨在减少氧化物中的电场 ...

此次APEC，针对SiC MOSFET，忱芯科技推出了业内领先的裸芯片KGD (Known Good Die) 解决方案。对SiC 功率半导体在Wafer层面的可靠性问题，则带来了动态晶圆 ...

了解SiC MOSFET等半导体器件的失效模式是创建筛选、鉴定和可靠性测试的关键。 了解半导体器件的失效模式是创建筛选、鉴定和可靠性测试的关键，这些测试可以确保器件在数据表规定的范围内运行，并满足汽车和其他电源转换应用中日益严格的十亿分之一的 ...

Littelfuse公司30日宣布推出TPSMB非对称TVS二极管系列，这是首款上市的非对称瞬态电压抑制（TVS）二极管，专门用于保护汽车应用中的碳化硅（SiC）MOSFET栅极驱动器。这一创新产品满足下一代电动汽车(EV)系统对可靠过压保护日益增长的需求，提供一种结构紧凑的 ...

公司回复称，公司的SiC器件包括SiC二极管、SiC MOSFET、Si2C MOSFET等器件技术。其中，SiC二极管、SiC MOSFET全部使用了SiC衬底，充分利用SiC宽禁带材料的耐 ...

“这意味着整个新能源汽车采用SiC的市场是完全被打开了。” 詹旭标介绍，目前750V及1200V SiC MOSFET是主驱应用的主流器件，特别是一些400V的平台逐渐被750V SiC MOSFET所替代。不过，他也表示，器件性能、质量、价格、产能仍然是整个主驱大规模应用的必要条件和 ...

北一半导体表示，本轮融资资金将主要用于SiC MOSFET技术的进一步研发，以及产线的升级与扩建。 北一半导体将以本次融资为契机，进一步加强技术 ...

盖世汽车讯 据外媒报道，为超高效、高性能和高压应用提供优质碳化硅（SiC）解决方案的设计商、开发商和全球供应商SemiQ Inc宣布推出一系列1700 V ...