关于 SiC/SiO₂界面陷阱对 MOSFET 的影响，三菱电机对其制造的平面栅 SiC MOSFET 开展了栅极电压应力试验（HTGB 试验），结果如图 1 所示。试验将测试温度设定为 150℃，在栅极与源极之间持续施加 20V 或 - 20V 电压，观察阈值电压的变化情况。试验结果显示，所有参与 ...

图2：图腾柱PFC拓扑 为了达到97.5%的能效，图腾柱PFC需要使用碳化硅(SiC)等“宽禁带”半导体的MOSFET。如今，所有PFC级均采用SiC MOSFET 作为快速开关桥 ...

通过表面活化键合技术和离子注入剥离技术，将高质量SiC薄层键合转移到低质量单晶SiC衬底上，实现了低质量单晶SiC衬底有效 ...

Littelfuse公司30日宣布推出TPSMB非对称TVS二极管系列，这是首款上市的非对称瞬态电压抑制（TVS）二极管，专门用于保护汽车应用中的碳化硅（SiC）MOSFET栅极驱动器。这一创新产品满足下一代电动汽车(EV)系统对可靠过压保护日益增长的需求，提供一种结构紧凑的 ...