通过表面活化键合技术和离子注入剥离技术，将高质量SiC薄层键合转移到低质量单晶SiC衬底上，实现了低质量单晶SiC衬底有效 ...

与Si MOSFET 相比，SiC MOSFET 在输出电容中存储的能量 ... 650V M3S EliteSiC MOSFET 的RDS(ON)低于相同封装的超级结MOSFET，这提升了LLC拓扑的系统能效，同时 ...

串联硅器件的加入增加了复杂度，进而削弱了JFET在高电流应用中的一些优势。SiC MOSFET属于常闭器件，兼具许多系统中所需的低电阻和可控性。K88ednc 热封装 SiC功率模块可实现高级别的系统优化，这很难通过并联分立MOSFET来实现。Microchip的mSiC™模块具有多种配置 ...

专为保护SiC MOSFET栅极驱动器而设计，这些驱动器需要不同的负电压和正电压额定值； 设计紧凑：该系列产品采用DO-214AA（SMB J-Bend）封装，非常适合空间受限的汽车设计； 车规级品质：通过AEC-Q101认证，确保为汽车应用提供最高可靠性； 高功率损耗：600W峰值脉冲 ...

重要的是，由于与封装、模块、电路和应用相关 ... 例如，对于 SiC 功率器件，专利分析已分为二极管、MOSFET 和其他 SiC 器件。此外，SiC MOSFET 专利 ...

士兰微公告称，预计2024年1-12月扣除非经常性损益后的净利润盈利:18,400万元至22,400万元,同比上年增长:212.39%至280.31%,同比上年增长12,510万元至16,510万元。预计2024年1-12月归属于上市公司股东的净利润盈利:15,000万元至19,000万元。公告显示，(一)报告期内,面对市场竞争加剧的压力,公司通过持续推出富有竞争力的产品 ...

重要的是，由于与封装、模块、电路和应用相关 ... 例如，对于 SiC 功率器件，专利分析已分为二极管、MOSFET 和其他 SiC 器件。此外，SiC MOSFET 专利 ...