江苏东海半导体成立于2004年，位于无锡市，注册资本达到8150万人民币，实缴资本也非常接近其注册金额。值得注意的是，天眼查数据显示，该公司在招投标项目中预约参与了6次，拥有多达221条的专利记录，并且在商标和行政许可方面同样有所建树，这无疑彰显了其在电子设备制造领域的雄厚实力。

英飞凌针对硅基MOSFET、SiC、GaN器件也有相似的对比图——且基于英飞凌目前在三个领域都涉足，就实际应用角度来看，英飞凌对这三者的划分可能也更有说服力，具体如下图： ...

商用的Si MOSFET耐压普遍不超过900V，而SiC拥有更高的击穿场强，在结构上可以减少芯片的厚度，从而较大幅度地降低MOSFET的通态电阻，使其耐压可以 ...

总之，上海澜芯半导体的这一项专利申请不仅展示了其在SiC MOSFET领域的技术创新潜力，还将对整个半导体市场产生深远影响。随着技术的不断发展，这项专利或将开启新一轮的行业竞争与合作，也为消费者带来更多性能卓越且环保的智能电源解决方案。对于关注功率电子行业的发展动态的人士而言，澜芯半导体的这一进展无疑是不容错过的重要新闻。 返回搜狐，查看更多 ...

DeepSeek等大模型的持续演进和升级，极大地加速了AI技术的扩散与部署步伐，推动全球智算中心规模不断扩张，以应对日益攀升的智算需求。这一发展趋势对算力基础设施产生了积极的促进作用，但与此同时，高能耗问题也日益凸显，成为制约智算中心发展的瓶颈。

随着功率半导体IGBT，SiC MOSFET技术的发展和系统设计的优化， 电平位移 驱动电路应用场景越来越广，电压从600V拓展到了1200V。英飞凌1200V 电平位移 型颈驱动芯片电流可达+/-2.3A，可驱动中功率IGBT，包括Easy系列模块。目标10kW+应用，如商用HVAC、热泵、伺服驱动器、工业变频器、泵和风机。本文就来介绍一个 设计案例 ，采用 电平位移 驱动器碳化硅SiC ...

一方面，与优质稳定的供应商合作，金威源能够从根本上把控产品质量和价格，为客户提供更可靠、更具性价比的产品。另一方面，选用碳化硅这一高端材料，将推动开关电源产品的性能提升，为客户带来更优的体验。

前言2025年春季亚洲充电展于3月28日在深圳前海国际会议中心启幕，展会吸引了122家企业参展，覆盖电源芯片、功率器件、被动元件及工厂、品牌等快充产业全链路于一体。值得关注的是，本次参展企业中包含14家第三代半导体领域的技术领先企业。这些企业具备深厚 ...

idTednc 真正推动SiC技术广泛应用的重要转折点出现在电动汽车领域。特斯拉在其Model 3车型中首次大规模采用了SiC MOSFET，这不仅展示了SiC在汽车电子中的突破性应用，还证明了SiC功率器件在提高车辆能源转换效率、延长续航里程方面的卓越性能。此次成功应用使得 ...

格隆汇3月17日丨芯联集成(688469.SH)在投资者互动平台表示，公司SiC MOSFET系列工艺平台方面实现了650V到2000V系列的全面布局，其中1200V车载主驱逆变器实现量产，是国内最早能够提供车载主驱逆变器SiC MOSFET晶圆制造的企业，技术处于国际领先水平之列；1700V的平面SiC MOSFET也处于国际领先水平，可用于新能源光伏逆变器系统。 在车载SiC MOSFET领域 ...

公司还设定了到2030年占据全球30% SiC市场份额的宏伟目标。 在技术研发方面，英飞凌同样表现出色。2024年5月，公司推出了新一代400V碳化硅MOSFET系列 ...