相比 Si，GaAs 材料具备禁带宽度 大、电子迁移率高的特性，能显著降低射频尺寸、降低功耗，也具备成本优势。相比于 GaN 和 SiC 等新兴的二元系化合 ...

GaAs 是较为重要、技术成熟度最高的化合物半导体材料之一。相比 Si，GaAs 材料具备禁带宽度 大、电子迁移率高的特性，能显著降低射频尺寸、降低功耗，也具备成本优势。相比于 GaN 和 SiC 等新兴的二元系化合物半导体材料，GaAs 技术成熟，具备较为明显的成本优势。

日前，有消息透露国家计划把大力支持发展第三代半导体产业写进目前正在制定的“十四五”规划中。 材料、结构即决定物理 ...

表1：Si、SiC和GaN的特性。 一般来说，GaN FET的最高电压约为650V ... 然而，这个问题并没有真正扰乱镓基晶圆(GaAs或GaN)的生产，这主要是由于该稀有金属的囤积和转向其他来源(表4)。许多国家现在都有动力扩大十多年前因中国生产过剩而关闭的业务。

实际上，这意味着GaN-on-SiC器件在耗散相同功率时不会像GaAs或Si器件那样热。“较冷”设备意味着更可靠的设备。 GaN器件的功率密度是砷化镓（GaAs ...

GaAs、InP 等材料适用于制作高速、高频、大功率以及发光电子 ... 没错，这是两者材料特性决定的，在很多性能上 SiC 和 GaN 具有十分相似的表现。 * Si、GaN、SiC 应用区间对比 为什么我们的充电器用的都是 GaN 而不是 SiC 呢？ 两者有一个很大的区别是热导率。

如锗(Ge)、硅(Si)、砷化镓(GaAs)以及磷化铟(InP)； · 若禁带宽度Eg＞2.3eV则称为宽禁带半导体，如碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、H碳化硅(HSiC)、H碳化硅(HSiC ...

伴随着碳化硅基氮化镓 (GaN-on-SiC) 技术日趋成熟，GaN它正在成为各种应用的标准，相对于 Si LDMOS 和 GaAs 等竞争技术，RF GaN稳步获得市场份额。

仅弱于InP HEMT、GaAs mHEMT。 GaN 射频器件具有不同衬底，其中Si基GaN具有低衬底成本，Si 衬底8英寸很成熟，利用现有硅代工厂的规模生产优势。Si基GaN主要技术挑战有热阻、射频损耗，应力、位错密度和可靠性，大尺寸材料生长和CMOS兼容工艺制造， 当前，SiC基GaN占 ...

硅（Si）基半导体的出现比宽禁带（WBG）半导体早了几十年，如果要转向采用SiC或GaN功率半导体器件实现最佳设计，需要更多的专业知识和技巧，并在几个方面谨慎考虑，如开关拓扑、电磁干扰（EMI）、布局、并联以及栅极驱动器的选择。另外，解决可靠性和 ...

硅基超接合面(SJ)MOSFET技术目前在移动设备AC适配器市场仍占主导地位，但GaN和SiC组件将提供更高的效率和更小的外形尺寸。d1hednc 目前提出的GaN组件是在GaN-on-Si基板上形成的横向高电子移动率晶体晶体管(HEMT)。宽能隙市场目前有多家AC适配器新创公司，但截至目前 ...