新产品在TOLL封装内置第2代GaN on Si芯片，在与导通电阻和输出 ... “非常高兴ROHM 的TOLL 封装650V GaN HEMT能够以令人满意的性能投入量产。

1) GaN HEMT GaN（氮化镓）是一种用于新一代功率元器件的化合物半导体材料。与普通的半导体材料——Si（硅）相比， 具有更优异的物理性能 ...

与硅器件相比，碳化硅Cascode JFET具备多项优势。碳化硅作为宽禁带材料，具有更高的击穿电压特性，这意味着其器件可采用更薄的结构支持更高的电压。此外，碳化硅相较于硅的其他优势还包括： ...