第 4 代 MOSFET 主要面向高功率汽车、工业和可再生能源系统，为碳化硅技术带来了新的范式。此类器件为产品开发的长期路线图提供了灵活的基础，包括应用优化的裸芯片、模块和分立式产品等。基于第 4 代技术的每项设计都关注三个性能向量：整体系统效率；卓越的耐久性；较低系统成本。所有这些特性都旨在助力设计人员实现前所未有的性能和价值。

Nexperia正式推出一系列性能高效、稳定可靠的工业级1200 V碳化硅 (SiC) MOSFET。该系列器件在温度稳定性方面表现出色，采用创新的表面贴装 (SMD) 顶部散热封装技术X.PAK。X.PAK封装外形紧凑，尺寸仅为14 mm ...

NCE1540K采用先进的沟槽技术和设计，提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。它可以广泛应用于各种场合。 平台声明：该文观点仅代表作者本人 ...