资讯

电子工程专辑5 个月
分析：为什么NMOS管比PMOS管更受欢迎？
NMOS在实际应用中为何比PMOS要更受欢迎，本文将从导电沟道、电子迁移率和器件速度等多个方面来展开讲解。 首先是在性能 ...
电子工程专辑6 个月
为什么NMOS管比PMOS管更受欢迎？
NMOS在实际应用中为何比PMOS要更受欢迎，本文将从导电沟道、电子迁移率和器件速度等多个方面来展开讲解。 首先是在性能 ...
新浪网11 个月
使用先进的SPICE模型表征NMOS晶体管
然后，我们将使用下载的模型对NMOS晶体管进行一些基本的电学表征。 寻找用于仿真的Spice模型 以前，我的免费MOSFET模型来源是预测技术模型（PTM ...
OFweek维科网2 年
合科泰NMOS管HKTQ50N03与HKTQ80N03应用案例
MOS管也叫场效应管，它可以分为PMOS管（P沟道型）和NMOS（N沟道型）管，属于绝缘栅场效应管。NMOS也叫N型金属氧化物半导体，而由NMOS组成的电路就是 ...
华虹宏力申请晶振驱动电路专利，提供一种晶振驱动电路
专利摘要显示，本发明提供了一种晶振驱动电路，包括：第三PMOS管的漏极与第三NMOS管、第五PMOS管的漏极、第二电阻的第一端均连接，还连接到晶振的第一端；第二电阻的第二端连接第三NMOS管的栅极，还连接到晶振的第二端；第四PMOS管的漏极与第五PMOS管的源极连接，第五PMOS管的栅极接DET控制信号，第五PMOS管的漏极与第三PMOS管的漏极连接；第一NMOS管的栅极接第一PMOS管的漏极，漏 ...
生物谷1 年
渐冻症患者诱导多能干细胞建立了新的神经肌肉类器官疾病模型
该研究报道了一种利用患者诱导多能干细胞（induced pluripotent stem cells, iPSCs）构建神经肌肉类器官（Neuromuscular Organoids, NMOs）的方法，用于研究渐冻症 ...
EDN电子技术设计3 年
学子专区——ADALM2000实验：源极跟随器(NMOS)
本次实验的目的是研究简单的NMOS源极跟随器，有时也称为共漏极配置。 其中，K = μ n C ox /2，λ可以认为是与工艺技术相关的常数。qouednc 从另一个角度来看，因为晶体管V th 本身的DC偏移，在预期的摆幅内输入和输出之间的差值应是恒定的。受简单的电阻负载R ...
金融界汽车 on MSN13 天
联合汽车电子申请一种高压启动电路等专利，为开关电源控制芯片 ...
金融界2025年5月21日消息，国家知识产权局信息显示，联合汽车电子有限公司申请一项名为“一种高压启动电路、电机控制器及车辆控制器”的专利，公开号CN120016816A，申请日期为2025年02月。
来自MSN1 个月
灿芯股份获得发明专利授权：“一种掉电复位的电平转换电路”
专利摘要：本发明公开了一种掉电复位的电平转换电路，属于电平转换电路技术领域，该电平转换电路包括PMOS管P1~P8、NMOS管N1~N5、电阻R1、输入端IN和 ...