2025年2月26日，英飞凌科技奥地利有限公司成功获得了一项名为“针状单元沟槽式MOSFET”的专利，授权公告号为CN110323280B。该项专利的申请日期追溯至2019年3月，标志着英飞凌在功率器件领域的又一重要进展。随着电动汽车、可再生能源及高效能电源等对高性能功率器件需求的不断增长，这一新技术的出现将为相关应用带来核心竞争力。

2025年2月21日，上海道之科技有限公司近日宣布获得一项名为 "一种改善反向恢复特性的超结MOSFET器件" 的专利，授权公告号为CN113611749B。该专利的申请日期为2021年8月，彰显出该公司的技术创新能力和对电力电子领域的深耕之路。

日前，集设计研发、生产和全球销售为一体的著名功率半导体及芯片解决方案供应商Alpha and Omega Semiconductor Limited（AOS, 纳斯达克代码:AOSL）推出两款先进的表面贴片封装选项，扩展其行业领先的高功率MOSFET产品组合。全新的 GTPAK™ 和 GLPAK™ 封装旨在满足对高性能 ...

东芝 电子元件及存储装置株式会社近日宣布，量产面向车载 直流有刷电机 应用的 栅极驱动IC [1] ——“TB9103FTG”，其典型应用包括用于电动后门和电动滑门的闩锁电机 [2] 和锁定电机 [3] ，以及电动车窗和电动座椅的驱动电机等。

LLC谐振转换器的核心优势在于 软开关实现的高效率、宽输入适应性及高功率密度 ，其典型应用涵盖消费电子、工业电源、新能源、医疗等高要求领域。与SiC ...

下图是一个简洁的栅极驱动电路，包含一个驱动器IC、栅极电阻RGATE、反向并联的关断二极管DOFF，以及MOSFET。在MOSFET驱动电路的设计中，栅极电阻RGATE和反向并联二极管DOFF是两个关键元件，它们共同调控MOSFET的开关行为。RGATE负责调整开通速度，而DOFF通过分流 ...

EVAL-FS33MR12W1M1HM5是采用33mΩ 1200V碳化硅MOSFET模块的三相电机驱动 电路板 。开发该 评估板 的目的是为了在客户使用Easy1B封装的CoolSiC™ ...

韩国首尔 - 市值1.503亿美元、当前股价4.04美元的半导体制造商Magnachip Semiconductor Corporation（纽交所代码：MX）宣布推出新一系列第六代（Gen6）超结金属氧化物半导体场效应晶体管（SJ MOSFETs）。根据 InvestingPro 数据显示，尽管市场面临挑战，该公司仍保持21.66%的健康毛利率。此次推出25款新Gen6 SJ ...

WKC4359是一款理想二极管控制器，用于驱动一个外部N沟道MOSFET以取代肖特基二极管。该器件可控制MOSFET两端的正向电压降，以确保无振荡的平滑电流传输，即使在轻负载条件下也不例外。如果电源发生故障或短路，则快速关断可最大限度地抑制反向电流瞬 ...

2025年2月13日，南京南瑞半导体有限公司正式向国家知识产权局申请了一项创新专利，标题为“一种SiC MOSFET器件及其制备方法”，旨在有效提高SiC ...

证券之星消息，中瓷电子(003031)03月13日在投资者关系平台上答复投资者关心的问题。 投资者：请问截止3月10日收盘公司股东数是多少？谢谢 中瓷电子董秘：您好！根据中国登记结算深圳分公司提供的数据，截止至2025年3月10日收盘，公司股东总户数 ...

捷捷微电（300623.SZ）2月21日在投资者互动平台表示，公司下游客户众多并分散，且应用领域广泛，相关MOSFET器件产品和防护器件产品可用于机器人 ...