在开关过程中，漏极电压变化会导致栅极电压出现额外的充放电需求，减慢开关速度。 MOSFET的Cgs、Cgd、Cds 都是非线性电容，它们随漏源电压（Vds）和栅源电压（Vgs）的变化而变化，Cgs通常为恒定值，因为它主要由栅极与沟道的重叠区域决定。Cgd在低Vds时较大 ...