随着功率半导体IGBT，SiC MOSFET技术的发展和系统设计的优化， 电平位移 驱动电路应用场景越来越广，电压从600V拓展到了1200V。英飞凌1200V 电平位移 型颈驱动芯片电流可达+/-2.3A，可驱动中功率IGBT，包括Easy系列模块。目标10kW+应用，如商用HVAC、热泵、伺服驱动器、工业变频器、泵和风机。本文就来介绍一个 设计案例 ，采用 电平位移 驱动器碳化硅SiC ...

Part 03 栅极电阻位置分析 栅极驱动器的输出阻抗通常非常低，几欧姆级别，而MOSFET的输入阻抗由栅极电容Ciss决定，在高频下表现为低阻抗Z =1/(jωCiss）。栅极电阻RGATE作为串联元件，其位置会显著影响电路， 若RGATE靠近驱动器放置： RGATE位于驱动器端，之后有一段 ...