反激拓扑是 高压单管 GaN的典型应用，快充场合常用。该拓扑在地线的处理上都需特别注意，如下图所示，Layout时辅助绕组地、IC信号地功率地在bulk电容处汇合，避免IC地受干扰导致驱动振荡。 在GaN应用时，Layout上还需注意以下方面： ...