商用的Si MOSFET耐压普遍不超过900V，而SiC拥有更高的击穿场强，在结构上可以减少芯片的厚度，从而较大幅度地降低MOSFET的通态电阻，使其耐压可以 ...

650V 27mΩ/50mΩ及1700V 1Ω SiC MOSFET已实现量产；针对车规级市场，车载充电机、空调压缩机用SiC MOSFET已实现小批量出货，主驱逆变器用SiC MOSFET已在重点 ...

盖世汽车讯 11月26日，英飞凌科技股份公司（Infineon Technologies AG ... 2EP100R和2EP101R，针对IGBT和SiC MOSFET栅极驱动器电源的低元件数设计进行了优化 ...