在硅（100）面上直接生长缺陷少的GaN结晶时非常困难，几乎没有成功先例。 以前在GaN-on-Si技术实用化方面取得进展的，主要是在硅（111）面上生长GaN ...

着重分享的是本次研讨会的第 2 部分——“用于毫米波应用的 GaN-on-Si”，涵盖了用于毫米波应用的 GaN-on-Si 工艺和设计工具，以及用于射频和毫米波应用的 GaN-on-Si 衬底。另一个重点是基于 60 nm GaN-on-Si 的毫米波放大器，用于射频传感和无线通信。

意法半导体汽车与分立器件产品部经理Marco Monti表示，“我们已经认识到宽带隙半导体具有很高的价值，ST和CEA－Leti在功率GaN－on－Si制造和封装技术 ...

4月30日，苏州晶湛半导体有限公司（下文简称“晶湛半导体”）官微发文称，在比利时新鲁汶的爱因斯坦高科技园区，晶湛半导体和Incize于近日达成了一份战略合作备忘录，双方将在硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延技术的建模、仿真和测试方面进行深入的战略合作。

表1：Si、SiC和GaN的特性。 一般来说，GaN FET的最高电压约为650V，应用功率约为10kW，而750V和1200V SiC FET也并不罕见，应用功率从1kW到数百万瓦不等(如图 ...

仅100微米 京瓷开发出全球最小GaN激光芯片盖世汽车讯 11月2日，日本京瓷公司（Kyocera Corporation）宣布开发出新的薄膜工艺技术，用于为基于氮化 ...

根据新思界产业研究中心发布的《2023-2028年硅基氮化镓（GaN-on-Si）行业市场深度调研及投资前景预测分析报告》显示，未来随着下游市场快速发展 ...

伴随着碳化硅基氮化镓 (GaN-on-SiC) 技术日趋成熟，GaN它正在成为各种应用的标准，相对于 Si LDMOS 和 GaAs 等竞争技术，RF GaN稳步获得市场份额。

使用si-mosfet的μipm已推出了实际产品。新款μipm的特点是，通过使用gan功率晶体管，与使用si-mosfet时相比损失更低。该产品使用耐压600v级的gan功率元件。

GaN-on-SiC 和高度有效线性化技术的采用，可以实现更高效率的无线传输，带来显著的功率、散热和成本等方面节约，从而加快 5G 的部署。 科锐高效率 GaN-on-SiC 功率放大器与 MaxLinear 高度有效线性化解决方案相辅相成，可为 5G 应用所需的大规模 MIMO 射频节省数百瓦的功率消耗。