本文引用地址： 碳化硅 (SiC) 是用于制造分立功率半导体的宽禁带 (WBG) 半导体材料系列的一部分。如表 1 所示，传统硅 (Si) MOSFET 的带隙能量为 1.12 eV ...

引言 碳化硅 (SiC) 属于宽禁带 半导体材料系列，用于制造分立功率半导体。如表 1 所示，传统硅 (Si) MOSFET 的带隙能量为 1.12 eV，而 SiC MOSFET 的带隙 ...

SiC MOSFET的面积归一化导通状态电阻也称为比导通电阻（R on ... 图3给出了功率为千瓦级的三相逆变器（本例中为75 kW）及其拓扑。它经常应用于EV牵引、EV充电器、太阳能逆变器、UPS和电机驱动等领域。 图3. 上述千瓦级三相逆变器（包括功能部分和拓扑）的关键 ...

SiC MOSFET 在较高结温下的 R DS(ON) 较低 ... 除了有助于减小数据中心的散热要求之外，该器件还能在高工作频率的 PFC 和 DC-DC 功能块中（例如电动汽车 (EV) 的壁挂式直流充电桩中）以较低温度运行。mz0ednc 此外，在相同电压等级下，M3S EliteSiC MOSFET 的栅极电荷 Qg ...

本次会议将重点介绍 EV 充电系统，以及安世半导体为此即将带来的 SiC MOSFET 1200V/40, 80mR 产品系列的优异性能特点，及其在 EV-Charger 中的应用 ...

栅极驱动器IC是EV逆变器的重要组件，在逆变器控制MCU与为逆变器供电的IGBT和SiC MOSFET之间提供接口。栅极驱动器IC可在低压域中接收来自MCU的控制 ...

SiC MOSFET的这些优势给电动汽车（EV）带来了诸多好处，包括更长的续航里程、更快的充电速度和潜在的更低成本的纯电动汽车（BEV）。在过去五年 ...

There is no denying that silicon carbide (SiC) MOSFETs are the story of the next decade for electric vehicle power electronics. The material improves powertrain efficiency (EV range), operates at ...

第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模块成功应用于浙江吉利控股集团（以下简称“吉利”）的电动汽车（以下称“EV”）品牌“极氪”的“X”、 “009 ...

在本文中，我们将讨论为SiC MOSFET选择栅极驱动器时应考虑的标准。 硅基MOSFET和IGBT过去一直在电力电子应用行业占据主导地位，这些应用包括不间断电源(UPS)、工业电机驱动、泵以及电动汽车(EV)等。然而，市场对更小型化产品的需求，以及设计人员所面临的提高 ...

Littelfuse公司30日宣布推出TPSMB非对称TVS二极管系列，这是首款上市的非对称瞬态电压抑制（TVS）二极管，专门用于保护汽车应用中的碳化硅（SiC）MOSFET栅极驱动器。这一创新产品满足下一代电动汽车(EV)系统对可靠过压保护日益增长的需求，提供一种结构紧凑的 ...

SiC MOSFET是近年来MOSFET行业进行技术迭代的主要方向，相较于其他可用技术，碳化硅MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)表现出显著的性能提升，为众多电子应用带来了新的可能性。目前，SiC MOSFET的发展主要经历了三个阶段，其发展历程具体如下 ...