前言近年来，随着人工智能、云计算及高密度电源需求的爆发式增长，功率电子系统对效率、功率密度及热管理的挑战日益严峻。传统硅基MOSFET受限于材料特性，在高压、高频场景下的性能瓶颈逐渐显现。氮化镓（GaN）技术凭借其宽禁带特性、高电子迁移率及低开关损耗 ...

为了应对这一挑战，英诺赛科推出了具有里程碑意义的100V增强型GaN功率器件INN100EA035A，它不仅是全球首款实现大规模量产的100V级GaN解决方案，还通过革命性的双面散热封装与优化设计，重新定义了电源系统的性能界限。这款产品为AI服务器及48V基础设施的高效能源转换提供了新的解决方案。