以下是文档正文。 本文讲述了一种运用功率型MOSFET和IGBT设计高性能自举式栅极驱动电路的系统方法，适用于高频率，大功率及高效率的开关应用场合。

意法半导体的SiC MOSFET和IGBT电隔离车规栅极驱动器STGAP4S可以灵活地控制不同额定功率的逆变器，集成可设置的安全保护和丰富的诊断功能，确保电驱 ...

而功率半导体器 (如 IGBT、MOSFET、SiC 和 GaN器件) 的性能直接决定系统的效率和稳定性。栅极驱动 DCDC 电源模块作为连接控制电路与功率电路的关键组件，不仅为栅极驱动电路提供稳定的隔离电源，还能显着提高功率器件的开关速度和可靠性。本文将探讨栅极驱动 ...

1.限制充放电电流 MOSFET栅极寄生电容在电平转换时需要充放电，直接驱动可能会引起瞬间的高峰电流。串联电阻可以限制这一充放电电流，保护驱动电路不受大电流冲击，避免因过大电流导致的器件损坏，如何我们用驱动器驱动MOSFET时一般不需要担心，但是有 ...

智能栅极驱动光耦是内置Vce饱和检测、异常状态反馈、UVLO、米靳钳位激活、异常自动复位等功能的IGBT门级驱动光耦，相较于普通栅极驱动光耦 ...

在展会现场,主要负责栅极驱动IC产品规划与市场推广工作的纳芯微技术市场刘建栋接受了记者专访。围绕AI数据中心电源和栅极驱动IC,他从行业发展 ...

在本文中，我们将讨论对碳化硅(SiC)MOSFET器件执行的栅极开关应力(GSS)测试。这些数据是在APEC 2024会议上由奥维耶多大学(西班牙)团队和onsemi(安森美)合作公布的。hjEednc SiC MOSFET中的直流与交流栅极应力效应 多年来，SiC MOSFET的栅极氧化物可靠性人们热衷研究的课题。